本发明公开了一种新型的临界角透射光栅制作方法，包括以下步骤：S1、在单晶硅基底双面沉积氮化硅层，然后在氮化硅层表面镀铬，再双面旋涂光刻胶，经紫外曝光、显影后，湿法刻蚀铬，得到基准光栅；S2、在基准光栅双面旋涂光刻胶，经扫描干涉场曝光系统曝光、显影后得到光栅掩膜；S3、然后干法刻蚀光栅掩膜的氮化硅层，湿法刻蚀单晶硅，最后去除氮化硅层，即得透射光栅。本发明的新型的临界角透射光栅制作方法，其通过双面镀铬、双面旋涂光刻胶、双面曝光等工艺制作单晶硅光栅掩膜。然后双向同时利用碱性刻蚀液对单晶硅进行湿法刻蚀，即可降低光栅展宽面积，实现光栅开口率的提升。