本发明公开了一种压力传感器及其制作方法，本发明的压力传感器基于SOI绝缘硅衬底，在正面通过光刻和刻蚀技术形成惠斯特电桥结构，背面用体硅腐蚀技术形成压力敏感膜，并且通过正硅-玻璃的阳极键合形成密封腔体，背面采用硅-玻璃键合达到应力平衡，器件采用独特的单芯片封装方式达到高可靠性。本发明的器件和方法能够保证所形成的扩散硅压阻压力传感器能够在高温环境下正常工作，尤其能够在-55℃到175℃之间工作，能够广泛应用于各种工业自控环境，设计石油管道、水利水电、铁路交通、智能建筑、生产自控、航空航天、石化、油井、电力、锅炉等众多行业。