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专利名称正入射式光电芯片及其制备方法
申请日2018-12-25
申请号/专利号CN201811587825.2
专利权人芯思杰技术(深圳)股份有限公司
申请人深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
发明人/设计人杨彦伟;刘宏亮;刘格;邹颜
公告日2019-05-24
公告号CN109801985A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明涉及光通信传输技术领域,本发明提供了一种正入射式光电芯片及其制备方法,一种正入射式光电芯片,所述芯片上开设分光孔,所述分光孔贯穿所述芯片的吸收层;所述芯片的正面上还设有吸光区和第一电极,所述第一电极位于所述吸光区的外侧;以所述芯片的正面为入光侧,入射光的一部分从所述分光孔透射分出,入射光的另一部分从所述吸光区进入到所述吸收层内进行光电转换;故本发明提供的正入射式光电芯片既能够分光,又能够对入射光的光功率进行监控;进而使用本发明提供的芯片的光路系统,无须使用光分路器进行分光,减少了系统体积,也降低了成本。
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