本发明公开功率MOSFET健康状态评估与剩余寿命预测方法，具体步骤为：首先采集健康功率MOSFET的漏源极电压、漏源极电流和阈值电压，获取健康功率MOSFET的马氏距离，并进行Box-Cox变换以得到正态分布化的马氏距离，从而确定功率MOSFET的健康状态评估基准阈值，并选取正态分布化的马氏距离作为评估被测功率MOSFET的健康状态特征参数；然后对监测被测功率MOSFET的漏源极电压、漏源极电流和阈值电压进行健康状态评估；最后，根据被测MOSFET的不同健康状态建立不同剩余寿命预测模型。本发明将功率MOSFET的多特征参数变换为单特征参数进行健康状态评估，同时考虑了工作条件的温度和电压应力，建立了正常状态和异常状态下的剩余寿命预测模型，从而能够准确预测被测功率MOSFET的剩余寿命。