本发明属于纳米光栅制作领域，具体涉及一种Ⅲ‑Ⅴ族材料纳米光栅刻蚀方法，包括采用干法刻蚀Ⅲ‑Ⅴ族材料晶圆，以将掩膜上的光栅图形转移到Ⅲ‑Ⅴ族材料晶圆上；使用氧气干法刻蚀晶圆表面；判断是否达到目标尺寸，若没达到则重复上述步骤，否则结束刻蚀；本发明在光栅刻蚀的时候，将光栅刻蚀过程分段，抑制刻蚀表面Ⅲ、Ⅴ族元素的大量累积，减少聚合物的生成，同时衬底温度不会有较大的升高；并在分段周期内引入表面清洗工艺，使用氧气干法刻蚀光栅表面，氧气与有机聚合物发生反应，生成可挥发生成物，有效去除刻蚀过程中产生的聚合物，使光栅表面光洁。