本发明属于集成光学领域，具体涉及一种平面硅波导器件中集成TE型光隔离器的制备方法。本发明采用两种方式沉积总厚度在500纳米以上的包层材料，第一层SiO2包层的厚度大于硅波导的高度并且低于450纳米，通过步骤2旋涂的方式，将步骤1制得基片的图案平面化，退火后不产生开裂现象和影响波导的透光性能；还采用CHF3和Ar混合的方式刻蚀SiO2包层，利用CHF3在刻蚀SiO2的过程中由于化学反应产生的有机物附着在硅波导表面，阻止了CHF3对硅波导的刻蚀，对部分暴露的硅波导表面起保护作用。本发明制备的隔离器，与微环结构相比，提高了器件的带宽，并解决了用晶元键合无法制备TE器件的难题。