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专利名称用于互连与安装装置的伽玛沟槽阵列
申请日2018-11-20
申请号/专利号CN201811380289.9
专利权人新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请人新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
发明人/设计人黄亚敏;刘博;麦志洪;林楚强
公告日2019-07-12
公告号CN110007396A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明涉及用于互连与安装装置的伽玛沟槽阵列,所揭示的是具有伽玛(γ)沟槽的装置。所述γ沟槽可用于形成光纤阵列。可通过修改蚀刻掩模的阻剂特征,使用诸如RIE的干蚀刻来形成所述γ沟槽,以具有凸形弯曲侧壁。通过该干蚀刻将所述阻剂特征的轮廓转移至该衬底,以形成所述γ沟槽。所述γ沟槽未利用含K蚀刻剂形成,不仅避免程序工具的K+离子污染,也避免因处理含碱装置所造成的健康问题。
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