本实用新型涉及光通信设备技术领域，具体涉及一种硅基光电子芯片与单模光纤的耦合装置，包括硅衬底、二氧化硅层、硅波导以及低折射率波导，单模光纤的端面处理成凸曲面形，单模光纤与二氧化硅层之间存在间隙，单模光纤与硅波导之间设置有至少一段低折射率波导，低折射率波导呈片状长方体形且两端为尖角，硅波导入射端为尖角，单模光纤的纤芯出射端与低折射率波导入射端对齐，低折射率波导与硅波导在水平方向上部分重叠，且在垂直方向上存在间隙，低折射率波导与硅波导两侧的二氧化硅层上均加工有刻槽，刻槽深度大于硅波导埋入二氧化硅层的深度。本实用新型的有益效果是：通过低折射率波导的过渡，提高单模光纤与硅光芯片之间的耦合效率及容差。