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专利名称一种基于FeGa-RFe2磁晶各向异性补偿原理设计的新型磁致伸缩材料及其制备方法
申请日2013-10-21
申请号/专利号CN201310495906.0
专利权人北京航空航天大学
申请人北京航空航天大学
发明人/设计人刘敬华;蒋成保;吴伟;张天丽;王敬民;徐惠彬
公告日2015-08-05
公告号CN103556045B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种基于FeGa-RFe2磁晶各向异性补偿原理设计的新型磁致伸缩材料及其制备方法,该磁致伸缩材料成分为(Fe100-XGaX)Y(RFe2)Z,其中10≤X≤40,Y与Z调节赝二元系中补偿成分的比例Y:Z=1~20,RFe2为TbFe2、SmFe2、DyFe2、HoFe2、ErFe2、TmFe2中的一种或者几种,X、Y、Z为摩尔百分比含量。本发明基于FeGa-RFe2磁晶各向异性补偿原理设计的新型磁致伸缩材料通过在非稀土FeGa基磁致伸缩合金成分中,微量添加具有大磁致应变性能的稀土RFe2成分,同时对FeGa成分进行磁晶各向异性补偿,从而获得具有大磁致应变、低驱动场、高力学性能、低成本等优势性能的新型磁致伸缩材料。
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