本发明实施例公开了一种半导体激光装置，包括至少一个半导体激光结构，该半导体激光结构除包括半导体激光器以及准直镜外，还包括位于所述准直镜背离所述半导体激光器一侧的第一反射结构，其中，所述半导体激光器出射的第一出射光束被所述准直镜准直后形成第二出射光束射出，所述第一反射结构用于对所述第二出射光束至少部分反射，形成第一反射光束反射回所述半导体激光器，调节所述半导体激光器出射的第三出射光束的光束质量因子，从而实现所述半导体激光装置出射的激光光束的光束质量和功率的调节，使得所述半导体激光装置可以应用于具有不同光束质量和功率需求的场景下，扩大了所述半导体激光装置的应用范围。