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专利名称一种基于晶圆基底易刻蚀的减反膜系
申请日2018-11-09
申请号/专利号CN201811336328.5
专利权人中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
申请人中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
发明人/设计人陈帛雄;赵科育;王涛;王珂;蓝士祺
公告日2019-01-22
公告号CN109254333A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明属于光学减反膜系设计,涉及一种基于晶圆基底易刻蚀的减反膜系。该膜系由五层非规整高低折射率膜层在晶圆基底上交替镀制而成,在晶圆基底(1)上面依次镀制高低折射率的膜层:其中第二层(3)、第四层(5)为高折射率膜层,采用TiO2或Ta2O5;第一层(2)、第三层(4)、第五层(6)为低折射率膜层,采用SiO2;各层膜厚度在0.2到2个标准波长之间;在晶圆基底另一面上沉积相同的膜层;本发明在入射角45°时,薄膜在1550nm±5nm波段内透射率大于99.9%,且便于刻蚀成型。
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