本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器设备，薄膜晶体管的制备方法包括在基板上形成栅极、栅极绝缘层以及沟道层；在沟道层上形成源极和漏极，源极和漏极间隔设置形成间隙，源极和漏极为具有吸氢性质的金属电极；使用含氢原子的反应气体沉积形成钝化层，以使得钝化层掺杂有氢离子，钝化层覆盖沟道层、源极和漏极；退火处理，以使得钝化层中的氢离子扩散到沟道层，并在沟道层中源极和漏极所对应的区域均形成未被氢掺杂的区域，沟道层的其余区域形成含氢的掺杂区域，从而减小本征半导体沟道的长度，即相当于增大薄膜晶体管的等效宽长比，提高了薄膜晶体管的开态电流，增大了薄膜晶体管的开关比，改善了薄膜晶体管的驱动能力。