本发明涉及一种掺杂优化的超低衰减单模光纤，包括芯层和包层，所述的包层从内向外包括有内包层、下陷包层和外包层，其特征在于所述的芯层为多元掺杂二氧化硅芯层，掺杂物包括锗、氟、碱金属和磷，其中，锗对芯层的折射率贡献量为0～0.2％，氟对芯层的折射率贡献量为‑0.2％～0，碱金属的含量设为M11，则0＆lt;M11≤5000ppm，且呈连续分布，磷的含量设为M12，则0＆lt;M12≤1000ppm，在芯层中呈连续分布，芯层的相对折射率差△n1为‑0.15％～0.2％，芯层半径R1为3～7μm。本发明采用碱金属与磷共掺在芯层和内包层中形成了良好的粘度匹配，减少光纤制备过程中的缺陷，减少了光纤的轴向应力，从而进一步降低光纤的衰减参数，并使光纤性能稳定，具备更长的使用寿命。