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专利名称一种抗污染真空减反膜及其制备方法
申请日2018-11-05
申请号/专利号CN201811307553.6
专利权人中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请人中国工程物理研究院激光聚变研究中心
发明人/设计人张清华;邓雪然;杨伟;雷向阳;马红菊;王震;惠浩浩;王梓龙;张剑锋;张帅
公告日2019-12-17
公告号CN109164514B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种抗污染真空减反膜及其制备方法,属于光学材料技术领域。本发明通过在溶胶合成完成后加入改性剂2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7‑全氟‑1,8‑辛二醇,对生成的二氧化硅表面进行氟化改性,改性剂为全氟取代的二醇,同时采用六氟‑2‑甲基异丙基丙烯酸酯聚合物作为填充剂,从而在真空装置中也能保证该增透膜具有很高的性能。本发明制备的真空减反膜其表面自由能低,油脂或者水汽不易吸附于表面,在351nm的紫外波段具有>99%的高透射率,可实现强激光装置中三倍频激光的高能输出,在含有有机污染源的真空环境中放置数天后透射率基本保持不变。
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