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专利名称一种基于硅基模式转换的片上少模激光产生系统及方法
申请日2018-11-05
申请号/专利号CN201811309910.2
专利权人北京邮电大学
申请人北京邮电大学
发明人/设计人饶岚
公告日2019-08-30
公告号CN109217972B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种基于硅基模式转换的片上少模激光产生系统及方法。本发明属于集成光学领域。该系统由硅基波导(1)和光纤系统(2)构成环形谐振腔,其中:硅基波导(1)包括硅波导耦合器(14、15)、少模硅基模式复用器(16)/解复用器(13)、少模硅基波导(12)、少模硅基功率耦合器(14);光纤系统(2)包括泵浦源(24)、光隔离器(23)、掺铒光纤(26)、单模光纤(22)、光波分复用器(25)、光通道选择器(27)、光耦合器(21)。该系统以半导体激光器为泵浦源、掺铒光纤为增益介质,光纤系统和硅基波导构建环形谐振腔,通过控制硅基模式转换产生少模激光,为构建高密度片上系统提供有效的技术方案。
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