本实用新型公开了铌酸锂高频微型电光调制器芯片结构，所述调制器芯片结构包括：共面行波电极、二氧化硅缓冲层、光波导层和铌酸锂晶体层；其中，所诉光波导层制备于所述铌酸锂晶体层上，所述共面行波电极位于所述铌酸锂晶体层的上表面，所述二氧化硅缓冲层位于所述铌酸锂晶体层的下表面；所述共面行波电极包括中心电极和两偏电极，所述中心电极位于所述两偏电极的中间位置。本实用新型的有益效果是，通过在波导底层加入二氧化硅绝缘层，可以减小微波损耗，提高电场作用效率，实现较低的半波电压，或减小器件的尺寸；利用薄膜化芯片，减小或去除行波电极与铌酸锂晶片之间二氧化硅缓冲层，可有效提高电光转换效率。