本发明公开了一种再生弱光栅阵列的制备方法及系统，其中方法包括以下步骤：将弱光栅阵列光纤在一定的压力环境下载氢，直到氢分子的完全渗入弱光栅阵列光纤中；所述弱光栅阵列光纤为反射率1％～2％的弱光栅阵列光纤；将高温炉升至光栅再生温度900℃～1000℃，并保持稳定；将载氢后的弱光栅阵列光纤快速插入高温炉的高温恒温区；观测光栅的反射谱，当出现稳定的反射峰时，得到再生光纤。本发明获得的高温传感阵列光栅高温性能良好，能实现低温至1000℃的超大范围温度测量，反射率一致性较高，易于解调系统检测，整个传感阵列无任何焊点，损耗低，制备过程全自动化，大大提高了制备的效率。