本发明公开了一种基于中等折射率波导材料的高效率光栅耦合器，具体结构从下往上依次为衬底、下包层、中等折射率材料层、绝缘层、非晶硅光栅、上包层。本发明还公开了一种基于中等折射率波导材料的高效率光栅耦合器的制备方法，首先在衬底上制备波导下包层及中等折射率材料层；在中等折射率材料层中实现波导器件；然后于样品表面生长绝缘层以及非晶硅；然后通过电子束或紫外曝光，将光栅结构转移到电子束胶或光刻胶层，显影后形成光栅图案；然后通过刻蚀工艺将光栅结构转移至非晶硅光栅；最后去除电子束胶或光刻胶层，并生长上包层。本发明具有工艺步骤更简单，成本更低，误差容忍度更高的优点。