本发明公开了一种增大自旋轨道耦合的方法和晶体管，该方法是采用分子束外延或金属有机物化学气相沉积的方式，在晶体管InxGa1‑xAs量子阱沟道层中使In组分的含量线性渐变增加，相应的，Ga组分的含量线性渐变减少。所述晶体管包括InP衬底，以及自InP衬底上依次外延生长的InAlAs缓冲层、InxGa1‑xAs量子阱沟道层、InAlAs空间隔离层、Sidelta掺杂层、InAlAs势垒层和InGaAs帽层，其中，所述InxGa1‑xAs量子阱沟道层中In组分线性渐变增加。通过使用沟道线性In组分渐变来增大半导体材料（晶体管）中的自旋轨道耦合，能更好地调控自旋这个参量，为未来具有自旋轨道耦合的半导体材料能够投入到实际应用做好铺垫。