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专利名称一种制造垂直腔面发射激光器的精简工艺流程方法
申请日2019-12-26
申请号/专利号CN201911362109.9
专利权人常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请人常州纵慧芯光半导体科技有限公司
发明人/设计人翁玮呈;丁维遵;刘嵩;梁栋
公告日2020-02-07
公告号CN110768105A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明提供了一种制造垂直腔面发射激光器的精简工艺流程方法,相对于传统的VCSEL制造方法,本制造方法将P型欧姆接触金属与阳极焊盘金属结合为一次光刻工艺,可以实现完整包覆发光平台侧壁或者完整填埋为氧化刻蚀而制作的沟道,形成有效连接P电极金属层;同时,由于金属是连续的,器件的散热不受影响。这个制作工艺将原本需要多次光刻的工艺凝缩成一张光罩实现,在VCSEL量产制造中形成成本优势。最后,P和N电极金属层可以共享一次退火工艺同时实现良好的欧姆连接。
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