本发明公开了一种阵列集成微型LED芯片及其制作方法，所述芯片包括基板、导电连接层、热固性缓冲层和n个发光结构，所述导电连接层包括第一金属连接层和第二金属连接层，所述第一金属连接层将同一列的第一发光微结构形成导电连接，所述第二金属连接层将同一行的相邻两个第二发光微结构形成导电连接。本发明通过全共阴加双共阳的方式形成微型LED芯片集成式阵列，提高芯片的转移效率和转移良率。