一种新型DRAM集成电路的结构，涉及集成电路技术和半导体技术。本发明是基于一种新型的纵向柱状TMOS器件结构,最下层为N+掺杂衬底和N‑外延层作为漏极，中间是P外延层作为栅极沟道，最上方是N+锗硅外延层作为源极。柱状结构的外圈被氧化层包围，其中三面覆盖多晶硅层作为栅极，剩下一面覆盖金属层与MOS管的漏极形成电容。多晶硅上有一个引线孔，接字线。锗硅层上是另一个引线孔，接位线。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种DRAM结构，提供一种新型DRAM集成电路的结构，实现器件的小面积、高电流密度、低导通电阻，从而提高集成电路的集成度、存取速度，以及实现器件和集成电路安全工作电压的提高，而器件和集成电路的功耗仍比传统的器件和集成电路的功耗低。