本发明公开了PNP型肖特基集电区AlGaN/GaNHBT器件，从下往上依次包括：衬底、埋氧层、集电区、基区以及发射区，所述集电区包括下层的P型单晶硅层以及上层的金属硅化物层，所述基区包括N型AlGaN层，所述发射区包括P型GaN层；所述P型单晶硅层上设有集电极，所述N型AlGaN层上设有基极，所述P型GaN层上设有发射极。本发明接触界面特性好，可提高器件开关速度和截止频率，工艺简单且兼容现有硅基工艺。