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专利名称一种制备高取向钐钴永磁体的装置及方法
申请日2019-12-17
申请号/专利号CN201911299493.2
专利权人西南应用磁学研究所
申请人西南应用磁学研究所
发明人/设计人袁涛;罗治涛;王敬东;王林梅;邹杨;张明
公告日2020-02-11
公告号CN110783093A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种制备高取向钐钴永磁体的装置,属于永磁材料制备技术领域,包括动力系统、磁场系统、成型系统,其中,所述成型系统包括模具、上传动轴和下传动轴,所述模具为中空状,所述模具的轴向长度加长2‑3倍,所述模具与上传动轴和下传动轴之间的缝隙均为0.01‑0.02mm,在模具上还设有开口,还公开了采用上述装置进行制备高取向钐钴永磁体的方法,成型过程中,上传动轴不与模具分离,并通过开口进行装料和取出毛坯,本发明的上传动轴、下传动轴与模具在整个成型过程中不完全分离,避免了相互之间碰撞崩边伤人的情况,并且传动轴与模具之间的缝隙缩小,大大提高了钐钴永磁体的取向。
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