本申请提供了一种光电器件结构及其制作方法，涉及半导体光电技术领域。该光电器件结构包括逐层连接的衬底、缓冲层、n型半导体层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN发光有源区、最后一个AlxGa1‑xN量子垒层、p型电子阻挡层、p型半导体层以及接触层，且0.01≤x＆lt;y≤1；其中，发光有源区中的第一个AlGaN量子垒层靠近n型半导体层设置，发光有源区中的最后一个量子阱层靠近最后一个AlxGa1‑xN量子垒层设置，且多个AlGaN量子垒层与最后一个AlxGa1‑xN量子垒层均为铝组分渐变层。本申请提供的光电器件结构及其制作方法具有提升了量子效率与发光效率的优点。