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专利名称一种石墨烯沟道结构及其制作方法
申请日2019-12-06
申请号/专利号CN201911244890.X
专利权人上海集成电路研发中心有限公司
申请人上海集成电路研发中心有限公司
发明人/设计人朱建军;康晓旭
公告日2020-02-07
公告号CN110759334A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供一种石墨烯沟道结构及其制作方法,在硅衬底上的热氧化层的沟槽中形成铜填充层,以及,在所述铜填充层上沉积镍薄膜层后,在所述镍薄膜层中加入碳材料,即而执行退火工艺,以使所述镍薄膜层中的所述碳材料析出在所述镍薄膜层和所述铜填充层之间,形成石墨烯沟道层,之后再去除所述镍薄膜层和所述铜填充层,以形成所述石墨烯沟道结构。通过采用非转移式的石墨烯薄膜生长方法,可有效消除石墨烯薄膜转移工艺中引入的各种污染、缺陷及损伤,且悬空的石墨烯沟道结构,保护了石墨烯薄膜的表面质量,不会被粘附的各种介质层损伤。
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