本发明涉及一种功率器件终端结构及其形成方法，所述形成方法包括：在有源区外的至少一个环形区域内注入氧离子，并对所述半导体衬底进行第一退火工艺制程，形成氧化硅隔离区；在所述有源区外的至少两个环形区域内注入掺杂离子，并对所述半导体衬底进行第二退火工艺制程，形成场限环。通过上述方法形成的功率器件终端结构，包括间隔设置的氧化硅隔离区和场限环，相邻的两个场限环之间设有一个所述氧化硅隔离区，该功率器件终端结构通过扩宽耗尽区的方法改善了器件终端的电场分布，提高器件耐压能力；而且氧化硅隔离区不仅可以防止场限环向有源区扩散，还可以防止相邻的场限环之间的互扩散，从而形成了具有更优的隔离性能的功率器件终端结构。