本申请涉及一种MEMS麦克风翘曲补偿方法和MEMS麦克风晶圆；所述MEMS麦克风翘曲补偿方法包括：提供基体，基体的正面形成有正面膜层；对基体的背面进行研磨减薄以形成损伤层，研磨目数范围为200目‑3000目；对基体背面进行刻蚀以形成背腔，实现通过在基体的背面形成损伤层，通过损伤层向基体的背面施加反向表面应力，以抵消基体翘曲的翘曲应力，从而降低基体的翘曲度，有利于MEMS麦克风晶圆的后续工艺的实施。