本发明公开了一种鳍式晶体管的制造方法，包括步骤：步骤一、形成的鳍体和鳍体之间的浅沟槽以及填充在浅沟槽中第一场氧；步骤二、形成伪栅极结构；步骤三、完成鳍式晶体管的做金属栅置换之前的工艺，之后进行形成单扩散区切断结构的工艺：步骤31、光刻定义出单扩散区切断结构的形成区域；步骤32、去除单扩散区切断结构的形成区域内的伪栅极结构；步骤33、以伪栅极结构的去除区域为自对准条件刻蚀形成多个第一凹槽；步骤34、在第一凹槽中填充第二场氧；步骤四、对单扩散区切断结构外的伪栅极结构进行金属栅置换。本发明能避免出现有源区和伪栅极结构之间产生的对准问题，还能避免形成嵌入式外延层的小平面缺陷。