本发明公开了一种N型半导体器件，包括：形成于硅衬底表面上的栅极结构；栅极结构形成于凹槽中，包括依次叠加的栅介质层、N型功函数层和金属栅；沟道区形成于硅衬底表面中；N型半导体器件的工艺节点为7nm以下，凹槽的宽度为20nm以下；N型功函数层的厚度减薄到满足金属栅对所述凹槽进行完全填充的要求；N型功函数层的材料采用TaAl，利用TaAl的功函数接近所述底的导带底的特性来减少N型半导体器件的阈值电压，使功函数层的厚度和器件阈值电压同时满足7nm以下的工艺节点的器件要求。本发明还公开了一种N型半导体器件的制造方法。本发明能使N型功函数层的材料同时满足厚度缩小以及阈值电压减少的要求，能很好应用于7nm以下工艺节点的制程中。