本发明公开了一种集成电路I/O(input/output：输入/输出)ESD(Electro‑staticdischarge)保护电路。其特征在于，本发明中的I/OESD电路包含一级保护电路和二级保护电路。一级保护电路提供I/OPAD(压焊盘)到VDD(电源)和VSS(地)到I/OPAD的双向放电通路，其中VSS到I/OPAD的放电电路为低压开启电路，为静态电压触发电路，因此不仅适用于普通I/OPADESD保护设计，更适用于高速I/OPAD的保护设计，同时可以提供双向的ESD保护。二级保护电路由限流电阻和对VSS及VDID的钳位电路组成，可以对I/OPAD内部器件提供I/OPAD与VDD及VSS之间的双向钳位保护。因此本发明电路为低触发电压的且适用于高速信号端口的人体模型放电和充电模型放电的I/OESD保护技术。