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专利名称一种键合结构及其制造方法
申请日2019-11-27
申请号/专利号CN201911185772.6
专利权人武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人/设计人李乔伟;梁斐;胡胜
公告日2020-03-06
公告号CN110867387A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本申请实施例提供了一种键合结构及其制造方法,在待键合芯片中形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层,封装垫层暴露于待键合芯片的侧边缘,在待键合晶圆上形成有阵列排布的裸片,裸片表面上形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层时,利用待键合芯片中的封装垫层,将待键合芯片从侧边缘键合至裸片表面的封装垫层,以获得晶圆结构。该方法利用封装垫层将待键合芯片与待键合晶圆上的裸片键合形成晶圆结构,待键合芯片可以选择没有缺陷的产品,相较于晶圆与晶圆的键合,避免晶圆上有缺陷的芯片间的键合,提高产品的良率,进而降低制造成本。
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