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专利名称洗晶边工艺方法
申请日2019-11-26
申请号/专利号CN201911173151.6
专利权人上海华力集成电路制造有限公司
申请人上海华力集成电路制造有限公司
发明人/设计人罗丁硕;胡展源
公告日2020-01-24
公告号CN110729180A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开了一种洗晶边工艺方法,包括步骤:步骤一、在光刻胶涂布装置上对晶圆的正面进行光刻胶涂布;步骤二、从正面碰嘴喷射溶剂到晶圆的正面边缘并对晶圆进行旋转实现对晶边的光刻胶进行去除;调节晶圆转速且在保证对所述晶边的光刻胶完全去除的条件下降低晶圆转速,以减少溶剂受到的离心力并防止溶剂反溅到晶圆上;步骤三、停止正面碰嘴的喷射,从背面碰嘴喷射溶剂对晶圆背面进行清洗,背面碰嘴喷射要求保证在时间上和正面碰嘴喷射相错开。本发明能防止晶边光刻胶去除过程中溶剂反溅到晶圆上,并降低或消除由于溶剂反溅到晶圆上所形成的缺陷。
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