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专利名称半导体制造方法
申请日2019-11-26
申请号/专利号CN201911173243.4
专利权人上海华力集成电路制造有限公司
申请人上海华力集成电路制造有限公司
发明人/设计人池国维;刘厥扬;胡展源
公告日2020-02-28
公告号CN110854019A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

针对具有稀疏图形区域和密集图形区域的半导体制造,本发明提供的方法主要包括:刻蚀去除待刻蚀层的循环厚度,产生刻蚀副产物;清除刻蚀副产物;循环前两步骤至待刻蚀层至设计厚度。或,在稀疏图形区域比密集图形区域多预留设定快刻厚度的待刻蚀层;利用刻蚀副产物做掩膜刻蚀待刻蚀层至设计厚度。据此,能够实现待刻蚀层在两个区域刻蚀至最终的设计刻蚀深度时不存在高度差,减轻了图形负载效应。
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