本申请公开了一种光阻残留物的去除方法及逻辑器件，该方法包括：提供一衬底，该衬底包括第一区域和第二区域；通过光刻工艺在第二区域上涂布光阻，对第一区域进行浅掺杂SD离子注入，在第一区域形成的第一栅氧化层的两侧形成源极和漏极，浅掺杂SD离子注入的过程中光阻的表层形成有硬壳；通过干式灰化工艺对硬壳进行去除；通过湿法去除工艺对剩余的硬壳和光阻进行去除。本申请通过在对第一区域进行浅掺杂SD离子注入后，依次通过干式灰化工艺和湿法去除工艺对涂布在第二区域的光阻的表层形成的硬壳和光阻进行去除，能够较为充分的去除光阻残留物(包括硬壳，和/或，光阻)，提高了逻辑器件的制造良率。