本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及改善器件负偏压温度不稳定性的方法和结构。其中，方法包括：提供一基底以及形成于所述基底上的器件；通过ALD工艺，在所述器件上沉积应力薄膜结构，所述应力薄膜结构包括至少一层应力薄膜；进行退火工艺，通过退火工艺增大所述应力薄膜结构对所述器件施加的应力。结构包括：基底以及形成于基底上的器件；通过ALD工艺，形成于氧化薄膜层上的应力薄膜结构，应力薄膜结构包括至少一层应力薄膜。本发明通过ALD工艺，在器件上沉积应力薄膜结构可以减少扩散进入器件栅氧层界面的H原子，能够显著提升器件的NBTI寿命。