本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤：步骤一、形成层间膜。步骤二、测量出各区域的层间膜的厚度。步骤三、根据层间膜的厚度值调整对应区域的接触孔的光刻定义线宽，以补偿层间膜的厚度对刻蚀后的接触孔的开口线宽的影响。步骤四、进行光刻工艺。步骤五、进行刻蚀工艺形成所述接触孔的开口。本发明能消除层间膜的厚度对接触孔的线宽的影响，能使各区域刻蚀后的接触孔的开口线宽满足要求值，有利于器件尺寸等比例缩小并能提高缩小后的半导体器件的电学性能和良率。