本发明公开了一种光刻胶剥离方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成消耗层，消耗层的厚度满足后续去胶工艺中由去胶过处理对光刻胶底部的影响都位于消耗层中；步骤二、在消耗层表面涂布光刻胶；步骤三、对光刻胶进行曝光显影；步骤四、以光刻胶的图形结构为掩膜完全器件工艺；步骤五、进行去胶工艺，去胶工艺包括去胶过处理，去胶过处理对光刻胶底部的影响完全位于消耗层中，以消除所述去胶过处理对所述半导体衬底产生不利影响；步骤六、去除所述消耗层。本发明能消除去胶过处理对半导体衬底产生不利影响，提高器件工艺的均一性，在离子注入工艺中，能提高晶圆面内有源区膜质的均一性。