本发明涉及一种氮化铝粉体的纯化方法，包括：(1)将含有碳杂质的氮化铝粉体原料放入容器中，并容器置于烧结炉中，然后通过抽真空排出炉内杂质气体；(2)向烧结炉中通入二氧化碳气体，然后进行烧结处理，从而获得所述氮化铝粉体。本发明还涉及由所述方法制得的氮化铝粉体以及所述氮化铝粉体在氮化铝陶瓷制备中的应用。本发明方法突破传统排碳工艺的局限性，在不引入新的氧元素杂质条件下，除去氮化反应中未反应完全的碳杂质，获得高纯度的氮化铝粉体，其能够有效促进氮化铝陶瓷的烧结合成，最终有效提高氮化铝陶瓷产品的热导率等性能，因此在制造散热基片和电路基板尤其是大规模集成电路基板领域具有广阔的应用前景。