本发明公开了一种STI结构的制造方法，其中：提供半导体衬底，在半导体衬底上自下而上依次形成第一刻蚀阻挡层、第二刻蚀阻挡层和光掩膜层；形成光掩膜图形；进行第一次刻蚀，在半导体衬底内形成浅沟槽；对浅沟槽进行湿法刻蚀，形成sigma型沟槽；对半导体衬底进行第二次刻蚀，在sigma型沟槽的下方刻蚀形成倒梯形沟槽，倒梯形沟槽和sigma型沟槽构成翼式沟槽；淀积绝缘介质填满翼式沟槽以及形成于第一刻蚀阻挡层的沟槽并形成于第一刻蚀阻挡层上；对绝缘介质进行化学机械研磨，直至露出第一刻蚀阻挡层；去除第一刻蚀阻挡层。本发明的STI结构在其肩部形成双翼式结构，缩短了STI结构与沟道之间的距离，因此显著提升STI对沟道的应力，改善器件的性能。