本发明公开了一种衬底辅助触发与电压钳位的ESD/EOS防护方法，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域。本发明提供的衬底辅助触发与电压钳位的ESD/EOS防护器件，可用于提高集成电路的抗ESD/EOS能力。本发明方法的应用电路单元主要由P衬底、第一N阱、第二N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第四P+注入区、第五P+注入区、第六P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区、第六N+注入区、多晶硅栅以及其覆盖的薄栅氧化层、金属线构成。本发明可降低触发电压、提高开启速度快，增强ESD鲁棒性，避免闩锁效应并增强单位面积防护效率。