本申请公开了一种单扩散区切断的形成方法，涉及半导体制造领域。该方法包括：在硅衬底上形成若干条状鳍片和虚拟栅极，虚拟栅极的两侧形成有侧墙；在条状鳍片上形成源极和漏极；沉积层间介质层，并对层间介质层进行CMP，露出虚拟栅极的顶部；将虚拟栅极替换为金属栅极；刻蚀金属栅极的顶部，得到接触窗口；进行光刻工艺，露出部分金属栅极，露出的金属栅极用于制作单扩散区切断；刻蚀露出的金属栅极及露出的金属栅极下方的硅，形成单扩散区沟槽；沉积填充材料并进行CMP，形成单扩散区切断，填充材料用于填充接触窗口和单扩散区沟槽。解决了现有单扩散区切断的方法容易造成器件性能变差的问题；达到了提高器件性能和良率的效果。