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专利名称n倍驱动两输入与非门标准单元及其版图
申请日2019-11-19
申请号/专利号CN201911133036.6
专利权人上海华力微电子有限公司
申请人上海华力微电子有限公司
发明人/设计人虞蓓蕾;高唯欢;胡晓明
公告日2020-03-06
公告号CN110866372A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明涉及n倍驱动两输入与非门标准单元及其版图,涉及半导体集成电路设计,通过由两输入与门和n倍驱动反相器共同构成n倍驱动两输入与非门,其中n为大于等于2的偶数,其中n倍驱动反相器中的PMOS与NMOS晶体管的使用个数随驱动倍数增加,而两输入与门中的PMOS与NMOS晶体管的使用个数不变,因此减少了PMOS与NMOS晶体管的使用个数,从而减小n倍驱动两输入与非门单元的版图面积,并且节省晶体管个数与驱动倍数成正比,所以减小的面积与驱动倍数成正比。
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