本发明公开了一种全对称LDMOS触发SCR结构的双向高压ESD防护器件，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域。所述防护器件主要由一P衬底、深N阱、第一P阱、N阱、第二P阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第一多晶硅栅、第一薄栅氧化层、第一场氧隔离区、第二P+注入区、第二场氧隔离区、第二多晶硅栅、第二薄栅氧化层、第二N+注入区和第三P+注入区构成。本发明通过嵌入两个NLDMOS，构成开态NLDMOS和关态NLDMOS串联的辅助触发SCR电流路径，提高器件的耐压能力，使器件满足高压电源域的ESD防护需求增强器件的ESD鲁棒性，提高器件单位面积泄放效率，降低寄生SCR结构中的基区载流子浓度，提高器件的维持电压。