本发明提供一种增大有源区有效面积的方法，有源区刻蚀形成之后对单个晶片进行光阻去除与清洗；其中HF溶液清洗90s，SPM清洗剂清洗60s，SC1清洗剂清洗30s，SCN清洗30s。有源区氮化硅回刻之后对单个晶片进行清洗；O3清洗30s；SC1清洗剂清洗30s，SCN清洗剂清洗30s；SC2清洗剂清洗15s；STI区薄氧化层形成之前对单个晶片进行清洗，O3清洗30s，HF溶液清洗6min；SC1清洗剂清洗30s，SCN清洗剂清洗30s；SC2清洗15s。本发明将批量作业方式改为单个晶片的作业方式，改进清洗溶液的化学配比，减小晶片被清洗时间，在有源区被清洗干净的基础上，保留有源区的有效面积，增加MOS器件沟道宽度，改善SRAM均一性，提高SRAM性能，极大提升了各种MOS器件的性能。