本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：对用于键合的晶圆上的表面氧化层进行平坦化，并在所述表面氧化层的表面上形成键合界面层；湿法清洗所述键合界面层的表面；检测所述键合界面层的表面上的缺陷是否在规格以内，若所述键合界面层的表面上的缺陷未在规格以内，则去除所述键合界面层或者去除所述键合界面层和部分厚度的所述表面氧化层；循环执行上述步骤，直至形成的新的键合界面层的表面上的缺陷在规格以内；将至少两片所述晶圆进行键合，以形成晶圆键合结构。本发明的技术方案使得至少两片晶圆键合形成的晶圆键合结构的键合界面上的缺陷得到改善，进而使得产品良率得到提高。