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专利名称一种图形传递方法
申请日2019-11-15
申请号/专利号CN201911120598.7
专利权人上海集成电路研发中心有限公司
申请人上海集成电路研发中心有限公司
发明人/设计人杨渝书;伍强;李艳丽
公告日2020-02-14
公告号CN110797257A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供了一种图形传递方法,包括以下步骤:提供一半导体衬底,在所述半导体衬底上依次形成硬掩模层和图形化极紫外光刻胶层;以所述图形化极紫外光刻胶层为掩模,刻蚀所述硬掩模层,并将图形化极紫外光刻胶层中的图形传递至所述硬掩模层中,以形成图形化硬掩模层,所述图形化硬掩模层具有开口;在所述开口中形成填充层;以及去除所述硬掩模层,以暴露出所述半导体衬底,所述半导体衬底上保留所述开口中的填充层,以实现图形化极紫外光刻胶层中的低密度图形的负向传递。
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