本发明提供一种屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成沟槽，并在所述沟槽的底部和侧壁形成第一介质层；在所述沟槽内形成屏蔽栅；在所述屏蔽栅上形成牺牲层，所述牺牲层至少覆盖部分所述第一介质层的侧壁；刻蚀所述第一介质层至沟槽侧壁的预定高度位置；去除所述牺牲层；在所述屏蔽栅上和所沟槽侧壁上形成第二介质层；在所述沟槽内上形成栅极。本发明通过在刻蚀第一介质层之前，在屏蔽栅上形成牺牲层，使刻蚀后的第一介质层表面平整，避免屏蔽珊和栅极之间的第二介质层太薄而导致器件漏电，提高了器件的稳定性。