本发明公开了一种消除有机场效应晶体管光响应的方法。该方法包括下述步骤：1)选取具有低缺陷密度的绝缘层修饰材料；其中，所述修饰材料为目前广泛应用的廉价聚合物绝缘层材料；2)将步骤1)处理后的基片，生长或转移高结晶质量的晶体制备晶体管器件。本发明制备消除有机场效应晶体管光响应的器件结构，还可用于制备有机功能器件如有机场效应晶体管驱动有机发光二极管、有源矩阵发光二极管阵列，及有机逻辑电路，以及应用到大规模的集成电路中。