本发明公开了一种用于半导体器件制造过程中的共享接触孔刻蚀缺陷检测方包括：在半导体器件中形成所述共享接触孔，共享接触孔下方是该半导体器件有源区，共享接触孔与该半导体器件多晶硅栅之间电性隔离；对共享接触孔进行电子束扫描缺陷检测的电压衬度模式检测判断是否存在刻蚀缺陷。本发明所提供技术方案解决目前现有监控方式面临着接触孔蚀刻工艺窗口监测的反馈时间长及灵敏度不够的问题。本发明采用短制程将多晶硅线换为绝缘介质(如氮化硅)线的方法，可跳过(不执行)多道离子注入且无需锗硅制程，无需设计额外测试图形或光罩，可实现在有源区和多晶硅栅共享接触孔上高灵敏度地对蚀刻工艺窗口进行监测。